由江蘇宏微科技有限公司自主研發(fā)的大功率超快速軟恢復(fù)外延型二極管（FRED）芯片和1200V/1700V大功率絕緣柵雙極晶體管（IGBT）芯片，于10月25日順利通過(guò)有關(guān)專家組鑒定。專家組一致認(rèn)為，該公司自主研制的非穿通型（NPT）IGBT芯片和FRED芯片，主要性能指標(biāo)均達(dá)到國(guó)際先進(jìn)水平，其中1200V IGBT主要性能指標(biāo)超過(guò)了國(guó)際同類產(chǎn)品的先進(jìn)水平。標(biāo)志著我國(guó)新型電力半導(dǎo)體器件從此走上了產(chǎn)業(yè)化道路，開(kāi)始追趕并逐漸超越世界領(lǐng)先水平的新里程。
IGBT和FRED器件是電力電子裝置和系統(tǒng)中的CPU，被國(guó)際電力電子行業(yè)公認(rèn)為電力電子技術(shù)第三次革命最具代表性的器件。新型電力電子技術(shù)是改造傳統(tǒng)工業(yè)、促進(jìn)新型高新技術(shù)產(chǎn)業(yè)發(fā)展的關(guān)鍵技術(shù)之一，可廣泛應(yīng)用于風(fēng)力發(fā)電系統(tǒng)、太陽(yáng)能電源、航空、航天等多個(gè)領(lǐng)域。
近年來(lái)，我國(guó)電力電子器件的市場(chǎng)一直保持快速增長(zhǎng)的勢(shì)頭。2011年預(yù)計(jì)市場(chǎng)銷售收入總額將突破1680億元，年均增長(zhǎng)率將達(dá)到20.1%。在分立器件中，大功率高頻新型電力半導(dǎo)體器件IGBT、VDMOS 和FRED是增長(zhǎng)最快的器件，年增長(zhǎng)速率將達(dá)到25%左右。
江蘇宏微科技有限公司副總裁、芯片事業(yè)部總經(jīng)理劉利峰介紹，IGBT和FRED產(chǎn)品在國(guó)外發(fā)達(dá)國(guó)家已經(jīng)成熟發(fā)展了20余年，但我國(guó)一直處于科學(xué)研究和試驗(yàn)樣品階段，主要參數(shù)不能滿足工業(yè)化的生產(chǎn)需要。宏微科技具有自主知識(shí)產(chǎn)權(quán)IGBT和FRED產(chǎn)品的產(chǎn)業(yè)化生產(chǎn)，不僅打破了我國(guó)電力電子系統(tǒng)與裝置對(duì)國(guó)外產(chǎn)品的長(zhǎng)期依賴，減少了我國(guó)系統(tǒng)與裝置的生產(chǎn)成本，增加我國(guó)整機(jī)產(chǎn)品在國(guó)內(nèi)外市場(chǎng)的競(jìng)爭(zhēng)力，同時(shí)，對(duì)高污染、低效率的傳統(tǒng)工業(yè)進(jìn)行徹底改造和更新?lián)Q代，減少工業(yè)污染，提高電能和其它資源的使用效率，都起到了推動(dòng)作用。
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